關(guān)鍵技術(shù):
高密度、低弧高(40um)、窄間距(50um)打線,Spacer技術(shù),倒裝芯片技術(shù)(突塊高度70um/80um/100um),芯片堆疊,密間距植球技術(shù)(球徑250um,球間距400um)。