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關(guān)鍵技術(shù)：
高密度、低弧高（40um）、窄間距（50um）打線，Spacer技術(shù)，倒裝芯片技術(shù)（突塊高度70um/80um/100um），芯片堆疊，密間距植球技術(shù)（球徑250um，球間距400um）。